\frameforsection[t]{
  \renewcommand\currentblocktitle{\hypertarget{2_1}{静态功耗的决定因素与降低静态功耗的方法}}
  \outonlyblock{
    \begin{itemize}
      \item 关系
	\begin{itemize}
	  \item 在MOS管断开（$V_{GS}=0,V_{DS}=V_{DD}$）时，漏极流过的电流时漏电流
	  \item 漏电流是静态功耗产生的原因
	  \item 漏电流与$e^{-V_T}$($V_T$为阈值电压)成正比
	  \item 更低的电源电压会造成更高的漏电流，从而增大静态功耗
	\end{itemize}
      \item 降低静态功耗的措施\\
	使用具有更高$V_T$的晶体管，但也要付出代价：更高阈值电压的晶体管速度更慢，而电源电压也更高，继而带来动态功耗的增大\\
	常用的工程措施：关键路径中使用低$V_T$晶体管，其他地方使用高$V_T$晶体管；关闭和使用电源门控电路
    \end{itemize}
  }
}
